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    基于SRAM的1-bit模拟运算单元

    SRAM作为存内运算的基础单元。在运算模式中,在一个时钟内,高时钟时信号时,完成乘法运算(输入信号和SRAM内储存的信号的乘积),在低时钟新号时,完成加法运算(通过分享电容完成)。


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    基于SRAM的多bit模拟运算单元

    SRAM作为存内运算的基础单元。在运算模式中,在一个时钟内,高时钟时信号时,完成乘法运算(输入信号和SRAM内储存的信号的乘积),在低时钟新号时,完成加法运算(通过分享电容完成)。每一个运算单元可以有N bit作为多比特运算单元,乘法类似于1-bit的运算方式,N bit用不同的输出端电容大小,区分是第几位,最后再用分享电容的方式达到多bit的模拟运算。


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    多模式SRAM阵列选择逻辑(用于存内运算)

    a. 由于SRAM阵列作为存内运算的核心,其阵列架构和传统阵列有一些不同,需要创新的行列选择器来进行读写。

    b. 在读写模式中,基于设计架构,比如是8位,一次性通过行选择,列选择以及阵列选择,生成对应的SRAM读写信号(通过选择对照表,非传统2进制选择规则),一次性读取或选择8位数据。

    c. 在计算模式中,通过阵列选择,再试行选择,生成SRAM阵列计算开启信号,其他阵列不进行计算。


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    基于SRAM的1-bit模拟运算架构

    a. 用1-bit模拟运算单元,搭建N x M x P的SRAM阵列,N为行数,M为列数,P为阵列数,通过SRAM阵列选择器,可以选择读取和计算的相应SRAM单元。

    b. 计算过程如下:

    i. 输入端通过DAC,输入到阵列中

    ii. 选择器选择合适的SRAM单元

    iii. 通过各运算单元,做出乘法和加法

    iv. 由ADC得出计算结果。


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